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在2029至2031年,海力SK海力士计划推出HBM5、布远UFS 6.0以及400层以上堆叠的景产超牛首码网发稿平台www.cyysh.com4D NAND,从而释放GPU或ASIC芯片面积并降低接口功耗。品线LPDDR5R和第二代CXL LPDDR6-PIM。存最SK海力士计划推出16层堆叠的快年HBM 4以及8层、面向AI市场的海力有LPDDR5X SOCAMM2、HBM5E以及其定制版本,布远目前GDDR7的景产速度基本是30~32Gbps,线路图上出现了GDDR7-Next,
SK海力士在2025年SK AI峰会上公布了其DRAM内存和NAND闪存的长期发展规划,还有定制款的HBM4E。DRAM和NAND,
NAND方面,有面向传统市场的标准产品以及面向人工智能市场的衍生产品,
DRAM市场方面,
在2026至2028年,他们计划推出容量高达245TB以上采用QLC闪存的PCIe 5.0 SSD,还有面向AI市场的高性能以及高带宽AI-N产品。还有很大潜力可以挖掘,这些定制设计将包括控制器和协议IP在内的更多逻辑集成到芯片内部,而DDR6和3D DRAM也出现在这个时间段内,以及面向移动设备的UFS 5.0闪存,并不是GDDR8,